以铜 (Cu) 溅射靶材为例。在制备铜溅射靶时，不可避免地会引入硫、铅等其他杂质含量。微量的硫可以防止热加工时晶粒尺寸增大或产生微裂纹；但当硫元素含量高于18 ppm时，会出现微裂纹；随着两种杂质元素（硫和铅）含量的增加，靶材裂纹的数量和电弧放电的数量会增加。因此，应尽可能降低靶材中的杂质含量，以提高薄膜的均匀性。
对于导热性较差的靶材，如SiAl靶材，由于靶材杂质的存在，会阻碍传热，导致靶材在使用过程中开裂。一般情况下，轻微的裂纹不会对镀层生产产生很大影响，但是当靶材出现明显裂纹时，电荷很容易集中在裂纹边缘，导致靶材异常放电。放电现象会导致夹渣、成膜异常、产品报废增加。因此，在靶材的制备过程中，应控制靶材的纯度。
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