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长沙鑫康新材料有限公司 合金靶材 铁镍钼钨(FeNiMoW)合金靶材
铁镍钼钨(FeNiMoW)合金靶材
铁镍钼钨(FeNiMoW)合金靶材
产品类别
铁合金靶材
产品名称
铁镍钼钨(FeNiMoW)合金靶材
元素符号
FeNiMoW
纯度
3N
形状
平面靶 异型定制

铁镍钼钨合金靶材


铁镍钼钨(Fe-Ni-Mo-W)合金靶材属于高性能软磁及溅射用合金靶材,主要用于物理气相沉积(PVD/Sputtering),在半导体、磁记录、光通信及高端电子薄膜领域有特定应用。


铁镍钼钨合金靶材核心特性

耐高温性:钼和钨均为高熔点金属(Mo熔点约2620℃,W熔点约3422℃),可提升靶材在高温溅射环境下的稳定性。
电磁性能:铁镍提供软磁性能,钼钨增强导电性和热稳定性,适用于高频电子器件。
耐腐蚀性:钼和钨的加入可形成致密氧化层,提升靶材在腐蚀性环境中的使用寿命。


铁镍钼钨合金靶材制备工艺

原料准备:选用高纯度(通常≥99.9%)、细粒度的铁、镍、钼、钨金属粉末。粉末的粒度(通常微米级)和形貌会直接影响终靶材的密度和微观结构均匀性。
等静压成型:将合金粉末填充至模具,在200-300MPa压力下进行冷等静压成型,保压0.5-2小时,形成素坯,保证素坯密度均匀。
烧结工艺:进行第一烧结处理,真空度10-2~10-3Pa,温度500-1400℃,时间4-24小时。吸附剂和储氢材料的协同作用,可促进气孔内气体排出,减少缺陷,显著提升靶材的纯度、致密度及成分均匀性。
后续加工与检测:烧结后通过机加工获得目标尺寸靶材,并进行质量检测。


 铁镍钼钨溅射靶材


铁镍钼钨合金靶材的应用领域

半导体制造:沉积阻挡层 / 导电层(如芯片 Al/Cu 布线阻挡层),防止金属扩散,提升器件稳定性。
磁存储(核心):磁头读写元件、磁屏蔽层、感应线圈,高磁导率提升灵敏度与信噪比。
高端电磁屏蔽:5G/6G 基站、航空航天设备的高频电磁屏蔽层。



铁铝(FeAl)合金靶材