我们生产高纯度的铜铟合金溅射靶材,它的好处是在物理气相沉积的过程中，能获得具有优异的导电率和颗粒小化的薄膜。
铜铟镓硒薄膜太阳能电池的制备方法是用交替溅射的方法制备铜铟镓硒薄膜太阳能电池预置层，通过可变占空比的电源控制器实现对Cu/Ga合金靶以及In靶溅射时间的控制，进而实现对元素配比的控制。在一个溅射周期中，Cu/Ga合金靶溅射时间对成分影响大，其次是In靶溅射时间，非溅射时间的长短对成分也有影响。交替溅射制备的铜铟镓硒预置层经过XRD检测，合金相主要为Cu11In9。CIGSSe薄膜是由铜、铟、硒等金属元素组成的直接带隙化合物半导体材料，其对可见光的吸收系数为所有薄膜电池材料中较高的，而原材料的消耗却远低于传统晶体硅太阳电池。与高效率高成本的晶体硅太阳电池和低效率低成本的非晶硅太阳电池相比，CIGSSe太阳电池具有高效率低成本长寿命的多重优势，是较有希望降低光伏发电成本的高效薄膜太阳电池，并且它可以充分利用我国丰富的铟资源，是真正符合国家法规鼓励条款的适合中国国情的可再生能源技术，具有广阔的发展前景。下图是铜铟合金溅射靶材的显微金相检测图片,平均粒径<100μm。
下面的表格是4N的高纯铜铟(50/50at%) 合金溅射靶的成分分析证明书。采用的分析方法:1.使用GDMS 或ICP-OES 对金属元素进行分析；2.使用LECO 进行气体元素分析
厂房地址：湖南省浏阳市高新技术开发区永泰路创新创业园A4-1栋
邮箱地址：erin@xk-sputteringtarget.com
全国咨询热线：
0731-86393472
Copyright © 2014 www.xk-sputteringtarget.com 长沙鑫康新材料有限公司版权所有 备案号： 湘ICP备17005295号-2
