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一种难熔合金钨钛靶材的用途及其制备方法

钨钛合金靶材是通过粉末冶金技术生产的,广泛用于半导体和薄膜太阳能电池对于半导体应用,WTi10wt%薄膜用作扩散阻挡层和粘附层,以将金属化层与半导体分开,例如,将铝与硅分开,或将铜与硅分开。因此,可以显着改善半导体在微芯片中的功能。对于薄膜太阳能电池,WTi10wt%薄膜还用作阻挡层,以防止钢基底中的铁原子扩散到钼背接触和CIGS半导体。钨钛合金靶材还用于LED和工具涂层。


新型半导体芯片选择钨钛合金靶材作为扩散阻挡层和键合层的主要原因是该合金具有良好的表面附着力和优异的散热性能,因此,制备的产品将具有更高的综合性能。


钨钛合金镀膜用芯片靶材



钨钛合金是一种兼有过渡金属钨和钛的优点的合金材料。它具有密度和纯度更高、耐腐蚀性更好、体积膨胀效应更小的特点,可以有效减少制造过程中颗粒的形成,即可以成功制备出高质量的薄膜。

钨钛合金方靶


钨钛合金的制备方法
1、取一定量的钨粉和钛粉,在惰性气氛保护下混合均匀。
2、使用机械压力机或冷等静压机将所得混合材料压制成坯料。
3、将生产出来的毛坯放入真空烧结炉中进行致密化和烧结。
4、将步骤3中烧结的钨钛材料冷却后,在非自耗真空电弧炉中熔炼得到产品。

钨钛合金平面靶


我们钨钛合金优点
1、生产工艺简单,操作方便。
2、采用钨钛粉混合原料,压制、烧结、电弧熔炼工艺,有效解决了传统钨钛合金制备效率低、材料均匀度和杂质含量难以控制的技术问题。


我厂可生产WTi 90 / 10wt%,WTi 85 / 15wt%靶材,并可定制特殊成分靶材,实际靶材密度> 99%,平均晶粒尺寸<100um。凭借高达4N5的纯度和特殊的退火处理,均匀的晶粒尺寸以及较低的气体含量,终用户可以在PVD工艺过程中获得恒定的腐蚀速率以及高纯度和均匀的薄膜涂层。


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