高纯度钨靶材（芯片制造）已实现中国制造

高纯度钨靶材是氧化钨薄膜在半导体器件实现其功能过渡的重要基体。由于钨的熔点高，钨靶材主要通过粉末冶金方法制备。其制备方法包括将纯度达到99.999％以上、粒度为3.2‑4.2μm的钨粉进行均匀混合后，置于真空热处理炉中进行预脱气，然后导入氢气，继续加热进行脱气的步骤；将脱气后的钨粉通过真空热压完成一次烧结的步骤；将一次烧结后的钨板通过热等静压机完成二次烧结的步骤；将二次烧结后的钨板通过机械加工将整个表面进行磨削处理，得到纯度为99.999％及以上且密度为99％及以上的半导体用高纯钨靶材，优点是高纯度、高密度且低电阻。

钨靶材在半导体领域半导体集成电路对靶材的纯度有着很高的要求，一般要求靶材的纯度要在99.999%以上。同时，靶材的密实度也对镀膜过程及膜层的性能有着重要的影响，靶材的密实度不仅影响溅射时的沉积速率、溅射膜粒子的密度和放电现象等，还影响着溅射薄膜的电学和光学性能。靶材越密实，溅射膜粒子的密越低，放电现象越弱，而薄膜的性能也越好。

之前应用于芯片制造领域的钨靶材，全球掌握相关制造技术的只有美国、日本等几家公司。所幸的是，在中国制造“2025”政策扶持下，越来越多的有志有识之士回国创业，不仅带回了先进的技术经验，也创造了更好的研发氛围。这不仅结束了金属靶材必须依赖进口的历史，甚至冲进了这个领域的全球第一梯队。

做靶材的材料人需要了解的金属材料的物理、化学和力学性能有哪些？

脉冲激光沉积（PLD）技术是目前有前途的靶材镀膜技术

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