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芯片靶材 国内溅射靶材制造厂家

芯片靶材


芯片靶材是用于制造芯片的关键材料,在芯片制造过程中,通过溅射等工艺,靶材中的物质被沉积在芯片表面,形成所需的薄膜层。薄膜的均匀性、附着力、电阻率等性能,直接关系到芯片的良率和可靠性。长沙鑫康靶材生产厂家成立于2014,一直以来都致力于开发以高纯材料为核心的高端镀膜材料。目前业务范围主要包括单质金属溅射靶材、合金溅射靶材、陶瓷溅射靶材、化合物溅射靶材、蒸发镀膜材料等等,所服务的行业主要包括:半导体、集成电路、微电子、平板显示、航空航天、节能玻璃、功能装饰和绿色新能源等。



芯片靶材的主要类型
按材质分类
金属靶材:
铜(Cu):用于互连线,低电阻、高电迁移抗性。
铝(Al):传统互连材料,成本低但性能不如铜。
钛(Ti)、钽(Ta):用作阻挡层(防止铜扩散)。
钨(W):用于接触孔和通孔填充。
合金靶材:如钛钨合金(Ti-W)、镍铂合金(Ni-Pt)等,满足特定电学或机械性能需求。
陶瓷/化合物靶材:
氧化物:如ITO(氧化铟锡,用于透明电极)、氧化铝(绝缘层)。
氮化物:如氮化钛(TiN,硬质掩模或阻挡层)。
硅化物:如硅化钴(CoSi₂,降低接触电阻)。

按形状:圆靶、方靶、异形靶

按应用分类
导电层靶材:如铜靶材、铝靶材,用于形成芯片中的导电线路,实现电信号的传输。
阻挡层靶材:如钽靶材、钛靶材,可防止金属扩散,保证芯片内部各层之间的稳定性和可靠性。
接触层靶材:如钴靶材、钨钛合金靶材,用于实现芯片内部不同材料之间的良好接触,确保信号传输的顺畅。

金属靶材
金属靶材

合金靶材
合金靶材

陶瓷靶材
陶瓷靶材



芯片靶材 性能要求
高纯度:芯片制造对靶材的纯度要求极高,通常要达到 99.9995% 以上,即 5N5 以上,以避免杂质对芯片性能产生不良影响。
成分均匀性:靶材内部成分需均匀一致,确保在溅射过程中各部分的溅射速率相同,从而获得均匀的薄膜层。
良好的致密性:靶材应具有较低的孔隙率和较高的致密度,防止在溅射过程中出现微粒飞溅,影响薄膜质量。
精确的尺寸精度:靶材的尺寸精度需满足芯片制造设备的要求,以保证溅射过程的准确性和重复性

芯片靶材制造工艺
粉末冶金法:将靶材原料制成粉末,通过压制、烧结等工艺形成具有一定形状和密度的靶材坯体。
熔炼法:将原料加热至熔化状态,通过铸造、轧制等工艺制成靶材。
溅射镀膜法:利用溅射技术将靶材原子沉积在基底上形成薄膜,再通过剥离等工艺制成靶材。

芯片靶材应用领域
集成电路制造:用于形成导电层、阻挡层和金属互连层等,是实现芯片内部各元件之间电气连接的关键。
存储芯片领域:在动态随机存取存储器(DRAM)和闪存(NAND Flash)中,用于构建存储单元的电极和电容结构,对存储芯片的性能和容量起着重要作用。
先进逻辑芯片制造:高纯度的靶材对于实现微小制程和高性能的芯片至关重要,有助于提高芯片的运行速度、降低功耗等。


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